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半導體資料專家梁駿吾院士去世。
【光亮追思】。
半導體資料專家、我國工程院院士、我國科學院半導體所研討員梁駿吾，因病醫治無效，于2022年6月23日在北京去世，享年89歲。
梁駿吾，1933年9月18日出世，湖北武漢人。1955年結業于武漢大學，1956年至1960年在蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研討所攻讀副博士學位，1960年獲技術科學副博士學位。?1997年當選為我國工程院院士。曾任我國電子學會半電子資料學分會主任、聲譽主任。
梁駿吾是我國從事硅資料研討的元老級專家，在20世紀60年代處理了高純區熔硅的關鍵技術。1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延資料。1979年研制成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、卑微缺點、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。80年代創始了摻氮中子嬗變硅單晶，處理了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研討MOCVD成長超晶格量子阱資料，在晶體完整性、電學功能和超晶格結構操控方面，將我國超晶格量子阱資料推進到有用水平。
梁駿吾終身與半導體資料科研工作相伴，他曾在采訪中說，期望經過自己的科研閱歷，帶給年青科研人員一些啟示，讓他們看到這份工作可以有所作為，讓他們覺得自己相同可以作出成果。（光亮日報全媒體記者李苑）。
