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【環球網科技歸納報導】2月27日音訊，據韓媒ETNews報導，SK海力士第六代12層堆疊高帶寬內存（HBM4）的測驗良率已成功打破70%，標志著該產品已具有量產的堅實基礎，并在劇烈的商場競爭中占有有利方位。
據悉，SK海力士的12層堆疊HBM4在2024年年末的良率已達到60%，而此次最新音訊顯現，其測驗良率已進一步提高至70%，展示了SK海力士在半導體技能研制和出產方面的微弱實力。
SK海力士HBM4的發展敏捷，得益于其第五代10nm級DRAM（1b）的成功使用。該技能在功能和穩定性方面已通過充沛驗證，并成功使用于SK海力士的HBM3e產品中。鑒于HBM3E曾完結80%的高方針良率，并大幅縮短了50%的量產時刻，業內人士遍及猜測，HBM4的12層堆疊產品也將敏捷進入量產階段。
現在，SK海力士已完結HBM4的內部技能開發和評價作業，行將供給樣品供客戶進行功能測驗。一旦測驗通過，SK海力士將當即發動量產方案，以滿意商場對高功能內存產品的火急需求。
值得一提的是，12層堆疊HBM4有望被布置在英偉達下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。此前有音訊稱，英偉達方案提早至2025年下半年量產“Grace Hopper”系列，這將進一步促進SK海力士加速提高HBM4的良率和量產進程，以保證產品可以準時交給并滿意英偉達等客戶的需求。（純鈞）。
